IPD60R600E6ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD60R600E6ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ E6

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

600 毫欧 @ 2.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

20.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

440 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

63W（Tc）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD60R

其它名称

IPD60R600E6ATMA1-ND

448-IPD60R600E6ATMA1TR

INFINFIPD60R600E6ATMA1

SP001117094

2156-IPD60R600E6ATMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD60R600E6ATMA1

价格

数量: 12500

单价: $5.42202
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $5.56471
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $5.77875
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

替代型号

型号 : FCD850N80Z

制造商 : onsemi
库存 : 15
单价. : ¥20.11000
替代类型. : 直接

型号 : STD13N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,932
单价. : ¥15.03000
替代类型. : 类似

型号 : STD12N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,488
单价. : ¥12.56000
替代类型. : 类似

型号 : TK8P60W,RVQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥9.02648
替代类型. : 类似

型号 : IXTY8N65X2

制造商 : IXYS
库存 : 20
单价. : ¥23.69000
替代类型. : 类似

型号 : TK560P60Y,RQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 7,839
单价. : ¥11.61000
替代类型. : 类似

型号 : STD8N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 30
单价. : ¥21.54000
替代类型. : 类似

型号 : TK11P65W,RQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥13.75000
替代类型. : 类似

型号 : AOD7S60

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 4,938
单价. : ¥13.28000
替代类型. : 类似

ESQT-105-03-H-S-309 IEGS66-1-62-5.00-31-V HW-09-12-F-D-500-SM-A SIT3372AC-2E9-33NU156.250000 RLR05C6801GMRE7

IPD60R600E6ATMA1

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号