IPD65R660CFDAATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD65R660CFDAATMA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

660 毫欧 @ 3.22A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 214.55µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

20 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

543 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

62.5W（Tc）

工作温度

-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD65R660

其它名称

SP000928260

INFINFIPD65R660CFDAATMA1

IPD65R660CFDAATMA1-ND

2156-IPD65R660CFDAATMA1

448-IPD65R660CFDAATMA1DKR

448-IPD65R660CFDAATMA1TR

448-IPD65R660CFDAATMA1CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD65R660CFDAATMA1

价格

数量: 5000

单价: $8.70702
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $9.0419
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $9.71168
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $11.72102
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $14.2661
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $17.752
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $19.8
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $9.71168
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $11.72102
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $14.2661
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $17.752
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $19.8
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

CY62147G18-55ZSXI 887-042-521-104 MS3471L24-61S 1300970332 YACT20MH53AN000000

IPD65R660CFDAATMA1

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