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GermanyNAND02GR3B2DN6E
元器件型号详细信息
原厂型号
NAND02GR3B2DN6E
摘要
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
详情
闪存 - NAND 存储器 IC 2Gb 并联 45 ns 48-TSOP
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
96
供应商库存
技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
闪存 - NAND
存储容量
2Gb
存储器组织
256M x 8
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
45ns
访问时间
45 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装
48-TSOP
基本产品编号
NAND02G
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Micron Technology Inc. NAND02GR3B2DN6E
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PCN 组装/来源
1(Tray Pkg Label Chgs 8/Oct/2020)
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价格
-
替代型号
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