English
Spain
Rusia
Italy
Germany8EWS12STRL
元器件型号详细信息
原厂型号
8EWS12STRL
摘要
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
详情
二极管 1200 V 8A 表面贴装型 D-PAK（TO-252AA）
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
1200 V
电流 - 平均整流 (Io)
8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 8 A
速度
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
50 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
D-PAK（TO-252AA）
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
8EWS12
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
VS-8EWS12STRL-ND
VS8EWS12STRL
VS-8EWS12STRL
VS8EWS12STRL-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8EWS12STRL
相关文档
规格书
1(8EWSxxS)
HTML 规格书
1(8EWSxxS)
价格
-
替代型号
型号 : VS-8EWS12STRR-M3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥12.60396
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥12.60396
替代类型. : 参数等效
型号 : VS-8EWS12STR-M3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 1,164
单价. : ¥23.85000
替代类型. : 参数等效
库存 : 1,164
单价. : ¥23.85000
替代类型. : 参数等效
型号 : VS-8EWS12SLHM3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 参数等效
型号 : VS-8EWS12STRL-M3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 参数等效
型号 : STTH512B-TR
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 12,870
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似
库存 : 12,870
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似