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GermanyTK17N65W,S1F
元器件型号详细信息
原厂型号
TK17N65W,S1F
摘要
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
详情
通孔 N 通道 650 V 17.3A（Ta） 165W（Tc） TO-247
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIV
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
200 毫欧 @ 8.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
165W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
TK17N65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TK17N65W,S1F(S
TK17N65WS1F
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK17N65W,S1F
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规格书
1(TK17N65W)
特色产品
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EDA 模型
1(TK17N65W by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
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