元器件型号详细信息

原厂型号
SQS486CENW-T1_GE3
摘要
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 18A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK® 1212-8W
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.1 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
53 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2950 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
62.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8W
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8W

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

742-SQS486CENW-T1_GE3CT
SQS486CENW-T1_GE30.2248
742-SQS486CENW-T1_GE3TR
742-SQS486CENW-T1_GE30.2248CT
742-SQS486CENW-T1_GE30DKR-ND
742-SQS486CENW-T1_GE30CT-ND
742-SQS486CENW-T1_GE30.2248CT-ND
742-SQS486CENW-T1_GE30CT
742-SQS486CENW-T1_GE30.2248TR-ND
742-SQS486CENW-T1_GE30DKR
742-SQS486CENW-T1_GE30.2248DKR-ND
742-SQS486CENW-T1_GE30.2248DKR
742-SQS486CENW-T1_GE3DKR
742-SQS486CENW-T1_GE30.2248TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SQS486CENW-T1_GE3

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EDA 模型
1(SQS486CENW-T1_GE3 by Ultra Librarian)

价格

数量: 3000
单价: $2.99324
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $3.30273
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $4.12838
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $5.2229
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.813
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7.71
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $3.30273
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
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最小包装数量: 1

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