元器件型号详细信息

原厂型号
IPB65R110CFDATMA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
110 毫欧 @ 12.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
118 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3240 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
277.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IPB65R110

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-IPB65R110CFDATMA1
IPB65R110CFDATMA1CT
IPB65R110CFDCT
IPB65R110CFDATMA1DKR
IPB65R110CFD
IPB65R110CFDATMA1TR
SP000896400
IPB65R110CFDDKR
IPB65R110CFDDKR-ND
IPB65R110CFD-ND
ROCINFIPB65R110CFDATMA1
IPB65R110CFDCT-ND
IPB65R110CFDTR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPB65R110CFDATMA1

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HTML 规格书
1(IPx65R110CFD)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V CFD2 Spice Model)

价格

数量: 2000
单价: $29.68243
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $30.82408
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 1
单价: $54.38
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $54.38
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPB65R110CFDATMA2
制造商 : Infineon Technologies
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库存 : 0
单价. : ¥57.95000
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 31,979
单价. : ¥36.89000
替代类型. : 类似
型号 : STB31N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥18.68529
替代类型. : 类似
型号 : SIHB33N60ET5-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥30.48470
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型号 : STB34N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥51.99000
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥30.13000
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型号 : STB30N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 985
单价. : ¥54.85000
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型号 : STB33N65M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥33.87000
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型号 : STB32N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥83.31000
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