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GermanySIZF906DT-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIZF906DT-T1-GE3
摘要
MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
详情
MOSFET - 阵列 30V 60A（Tc） 38W（Tc），83W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（6x5）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
32 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen IV
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22nC @ 4.5V，92nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2000pF @ 15V，8200pF @ 15V
功率 - 最大值
38W（Tc），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®（6x5）
基本产品编号
SIZF906
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIZF906DT-T1-GE3CT
SIZF906DT-T1-GE3CT-ND
SIZF906DT-T1-GE3TR
742-SIZF906DT-T1-GE3TR
742-SIZF906DT-T1-GE3CT
SIZF906DT-T1-GE3TR-ND
742-SIZF906DT-T1-GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3
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规格书
1(SiZF906DT)
PCN 组装/来源
1(SiZF906DT 20/Oct/2020)
HTML 规格书
1(SiZF906DT)
价格
数量: 3000
单价: $5.6326
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $6.03493
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $7.64432
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.2533
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.869
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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