元器件型号详细信息

原厂型号
SBSS84LT1G
摘要
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
详情
表面贴装型 P 通道 50 V 130mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
36 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
SBSS84

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

SBSS84LT1GOSDKR
SBSS84LT1GOSCT
SBSS84LT1G-ND
SBSS84LT1GOSTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi SBSS84LT1G

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规格书
1(B(V)SS84L Datasheet)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
1(SOT23 27/Sep/2016)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices Mold Compound 25/Apr/2018)
HTML 规格书
1(B(V)SS84L Datasheet)
EDA 模型
1(SBSS84LT1G by Ultra Librarian)

价格

数量: 150000
单价: $0.37753
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 30000
数量: 75000
单价: $0.39227
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 30000
数量: 30000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 30000
数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $3.18
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最小包装数量: 1

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