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Germany1N5262B-TR
元器件型号详细信息
原厂型号
1N5262B-TR
摘要
DIODE ZENER 51V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 51 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35（DO-204AH）
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
51 V
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
125 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 39 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
工作温度
-
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35（DO-204AH）
基本产品编号
1N5262
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
112-1N5262B-TRDKR
1N5262BVSCT
112-1N5262B-TRDKRINACTIVE
112-1N5262B-TRDKR-ND
1N5262BVSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5262B-TR
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规格书
1(1N5221 to 1N5267)
PCN 组装/来源
1(Wafer Source 12/Nov/2021)
价格
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