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GermanyMII100-12A3
元器件型号详细信息
原厂型号
MII100-12A3
摘要
IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
详情
IGBT 模块 NPT 半桥 1200 V 135 A 560 W 底座安装 Y4-M5
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
6
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
IGBT 类型
NPT
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
135 A
功率 - 最大值
560 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
5.5 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
Y4-M5
供应商器件封装
Y4-M5
基本产品编号
MII100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/IXYS MII100-12A3
相关文档
规格书
1(MII100-12A3)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev OBS 13/Jun/2022)
HTML 规格书
1(MII100-12A3)
价格
-
替代型号
-