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GermanyMMBTH10RG
元器件型号详细信息
原厂型号
MMBTH10RG
摘要
RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3
详情
RF 晶体管 NPN 40V 50mA 450MHz 225mW 表面贴装型 SOT-23-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
40V
频率 - 跃迁
450MHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
-
增益
-
功率 - 最大值
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
50 @ 1mA，6V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50mA
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
基本产品编号
MMBTH10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
MMBTH10RG-ND
MMBTH10RGTR
MMBTH10RGCT
MMBTH10RGDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/onsemi MMBTH10RG
相关文档
规格书
1(MMBTH10RG)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 16/Jul/2019)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Assembly Site Addition 20/Jul/2015)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(MMBTH10RG by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : MMBTH10-4LT1G
制造商 : onsemi
库存 : 59,021
单价. : ¥2.15000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥2.15000
替代类型. : 类似
型号 : MMBTH10LT1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥2.23000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥2.23000
替代类型. : 类似
型号 : MMBTH10LT3G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥2.15000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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型号 : BFP740ESDH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 9,915
单价. : ¥5.33000
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型号 : MMBTH10-TP
制造商 : Micro Commercial Co
库存 : 0
单价. : ¥1.91000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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型号 : BFR183E6327HTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 26,660
单价. : ¥4.05000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥4.05000
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型号 : MT3S16U(TE85L,F)
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 3,822
单价. : ¥1.99000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥1.99000
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型号 : BFP520FH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥4.45000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥4.45000
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型号 : MMBTH10-7-F
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 948
单价. : ¥2.07000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥2.07000
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