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GermanyVS-GB150YG120NT
元器件型号详细信息
原厂型号
VS-GB150YG120NT
摘要
IGBT MOD 1200V 182A ECONO3 4PACK
详情
IGBT 模块 NPT 全桥 1200 V 182 A 892 W 底座安装 ECONO3 4PACK
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
IGBT 类型
NPT
配置
全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
182 A
功率 - 最大值
892 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
4V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）
120 µA
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
ECONO3 4PACK
基本产品编号
GB150
相关信息
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150YG120NT
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1(Mult Dev EOL 10/Jan/2020)
价格
-
替代型号
-