元器件型号详细信息

原厂型号
CSD16327Q3T
摘要
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 60A(Tc) 74W(Tc) 8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
250

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 24A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+10V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 12.5 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
74W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
CSD16327

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

296-47650-6
296-47650-2
296-47650-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Texas Instruments CSD16327Q3T

相关文档

规格书
()
特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(CSD16327Q3T Specifications)
HTML 规格书
1(CSD16327Q3 Datasheet)
EDA 模型
()

价格

数量: 12500
单价: $4.15916
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 250
数量: 6250
单价: $4.32162
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 250
数量: 2500
单价: $4.54907
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 250
数量: 1250
单价: $4.87405
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 250
数量: 500
单价: $6.1738
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 250
数量: 250
单价: $6.98608
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 250
数量: 100
单价: $7.4734
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $9.587
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.73
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $7.4734
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $9.587
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.73
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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