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GermanySUP85N10-10-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SUP85N10-10-GE3
摘要
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详情
通孔 N 通道 100 V 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6550 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.75W（Ta），250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SUP85
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SUP85N10-10-GE3DKR-ND
SUP85N10-10-GE3CT
SUP85N10-10-GE3DKRINACTIVE
SUP85N10-10-GE3TR
SUP85N10-10-GE3TR-ND
SUP85N10-10-GE3CT-ND
SUP85N10-10-GE3DKR
SUP85N10-10-GE3TRINACTIVE
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SUP85N10-10-GE3
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价格
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