元器件型号详细信息

原厂型号
IRFH5206TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 16A(Ta),89A(Tc) 3.6W(Ta),100W(Tc) 8-PQFN(5x6)
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Ta),89A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.7 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
60 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2490 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.6W(Ta),100W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerVDFN

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP001556276
IRFH5206TRPBFCT
IRFH5206TRPBF-ND
IRFH5206TRPBFTR
IRFH5206TRPBFDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRFH5206TRPBF

相关文档

规格书
1(IRFH5206PBF)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
环保信息
1(PQFN 5x6 RoHS Compliance)
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRFH5206PBF)

价格

-

替代型号

型号 : BSC067N06LS3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 类似
型号 : BSC076N06NS3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,000
单价. : ¥11.92000
替代类型. : 类似
型号 : AON7262E
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 19,785
单价. : ¥7.79000
替代类型. : 类似
型号 : CSD18533Q5A
制造商 : Texas Instruments
库存 : 0
单价. : ¥12.00000
替代类型. : 类似
型号 : DMT6007LFG-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥3.63212
替代类型. : 类似
型号 : CSD18563Q5AT
制造商 : Texas Instruments
库存 : 0
单价. : ¥12.72000
替代类型. : 类似
型号 : TPH7R506NH,L1Q
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 1,719
单价. : ¥11.69000
替代类型. : 类似
型号 : TPH5R906NH,L1Q
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 30,000
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似
型号 : CSD18533Q5AT
制造商 : Texas Instruments
库存 : 443
单价. : ¥12.88000
替代类型. : 类似