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Germany71V416L10BE8
元器件型号详细信息
原厂型号
71V416L10BE8
摘要
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
详情
SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 10 ns 48-CABGA（9x9）
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 异步
存储容量
4Mb
存储器组织
256K x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
10ns
访问时间
10 ns
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
工作温度
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
48-TFBGA
供应商器件封装
48-CABGA（9x9）
基本产品编号
71V416L
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
IDT71V416L10BE8-ND
IDT71V416L10BE8
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Renesas Electronics America Inc 71V416L10BE8
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规格书
1(IDT71V416S/L)
PCN 设计/规格
1(All Dev Label Chg 1/Dec/2022)
价格
-
替代型号
型号 : 71V416S15BE8
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
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