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20250419
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元器件资讯
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IPDH4N03LAG
元器件型号详细信息
原厂型号
IPDH4N03LAG
摘要
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.2 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3200 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
94W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPDH4
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPDH4N03LAGINTR-NDR
IPDH4N03LAGXTINCT-ND
IPDH4N03LAGXTINTR-ND
IFEINFIPDH4N03LAG
IPDH4N03LAGXT
IPDH4N03LAGXTINCT
2156-IPDH4N03LAG
IPDH4N03LAGINTR
IPDH4N03LAGBUMA1
IPDH4N03LAGINCT-NDR
IPDH4N03LAGINCT
IPDH4N03LAGXTINTR
SP000016407
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPDH4N03LAG
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1(Multiple Devices 04/Jun/2009)
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1(IPD,IPSH4N03LA G)
价格
数量: 1000
单价: $6.19694
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $6.28748
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $6.6943
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $7.648
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $9.3
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPD040N03LGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 313
单价. : ¥9.78000
替代类型. : 直接
型号 : STD95N2LH5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 9,661
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似
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