CSD17579Q3A

元器件型号详细信息

原厂型号

CSD17579Q3A

摘要

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta） 3.2W（Ta），29W（Tc） 8-VSONP（3x3.3）

原厂/品牌

Texas Instruments

原厂到货时间

6 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Texas Instruments

系列

NexFET™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

10.2 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.9V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

15 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

998 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3.2W（Ta），29W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-VSONP（3x3.3）

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

CSD17579

其它名称

296-39998-2

296-39998-1

296-39998-6

296-39998-1-NDR

296-39998-6-NDR

296-39998-2-NDR

-296-39998-1-ND

CSD17579Q3A-ND

-CSD17579Q3A-NDR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD17579Q3A

价格

数量: 25000

单价: $1.39969
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 12500

单价: $1.47624
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $1.58559
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $1.69495
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $1.85901
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $2.40564
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $3.0615
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $4.102
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $4.77
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $1.85901
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $2.40564
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $3.0615
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $4.102
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $4.77
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : CSD17579Q3AT

制造商 : Texas Instruments
库存 : 5,175
单价. : ¥9.70000
替代类型. : 参数等效

EXB-E10C683J MMBZ5225BS-7 SPHWHAHDNE2VYZAVD2 WSR2R1690FTA XSDRIN-03

CSD17579Q3A

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替代型号

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