元器件型号详细信息

原厂型号
DMG4466SSS-13
摘要
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 10A(Ta) 1.42W(Ta) 8-SO
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
23 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
478.9 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.42W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
DMG4466

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

DMG4466SSS-13DITR
DMG4466SSS-13DIDKR
DMG4466SSS13
DMG4466SSS-13DICT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMG4466SSS-13

相关文档

规格书
1(DMG4466SSS)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Bond Wire 11/Nov/2011)
PCN 其他
1(Multiple Device Changes 29/Apr/2013)
HTML 规格书
1(DMG4466SSS)

价格

数量: 62500
单价: $0.80776
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 25000
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