SPB07N60S5ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

SPB07N60S5ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

600 毫欧 @ 4.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 350µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

35 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

970 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

83W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

SPB07N

其它名称

SPB07N60S5INTR

SPB07N60S5ATMA1TR

SPB07N60S5-ND

SPB07N60S5INTR-ND

SPB07N60S5ATMA1DKR

SPB07N60S5INDKR-ND

SPB07N60S5INCT-ND

SPB07N60S5XT

SPB07N60S5ATMA1CT

SPB07N60S5

SP000012111

SPB07N60S5INCT

SPB07N60S5INDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPB07N60S5ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : STB8N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 85
单价. : ¥22.50000
替代类型. : 类似

型号 : STB14NK60ZT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 类似

型号 : R6007ENJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似

型号 : STB11N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥9.37309
替代类型. : 类似

型号 : R6009KNJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 20
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似

型号 : STB14N80K5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥31.64000
替代类型. : 类似

型号 : R6009ENJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥23.53000
替代类型. : 类似

型号 : STB13NK60ZT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 867
单价. : ¥34.03000
替代类型. : 类似

型号 : R6007KNJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 17
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似

RT9818C-26GV SIT3372AI-2B2-30NC77.760000 SIT3372AC-4E2-30NU153.600000 0805J1K01P20BCT XC5215-6HQ208C0359

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