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GermanyBSO303PHXUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSO303PHXUMA1
摘要
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO
详情
MOSFET - 阵列 30V 7A 2W 表面贴装型 PG-DSO-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 8.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2678pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
PG-DSO-8
基本产品编号
BSO303
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-BSO303PHXUMA1
BSO303P HDKR-ND
SP000613854
BSO303PHXUMA1CT
BSO303P H
BSO303PH
BSO303P HDKR
BSO303P HCT
IFEINFBSO303PHXUMA1
BSO303P HCT-ND
BSO303PHXUMA1TR
BSO303P H-ND
BSO303P HTR-ND
BSO303PHXUMA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSO303PHXUMA1
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规格书
1(BSO303P H)
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1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 08/May/2019)
HTML 规格书
1(BSO303P H)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 30V P-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IRF7328TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,390
单价. : ¥12.96000
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制造商 : Diodes Incorporated
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型号 : FDS4935A
制造商 : onsemi
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型号 : FDS4935BZ
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库存 : 33,827
单价. : ¥7.55000
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