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GermanySTN1N20
元器件型号详细信息
原厂型号
STN1N20
摘要
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 1A（Tc） 2.9W（Tc） SOT-223
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
MESH OVERLAY™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
206 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.9W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
STN1N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-3176-6
497-3176-1
497-3176-2
-497-3176-2
497-3176-1-NDR
-497-3176-1
497-3176-2-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STN1N20
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规格书
1(STN1N20)
HTML 规格书
1(STN1N20)
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1(STN1N20 by Ultra Librarian)
价格
-
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