English
Spain
Rusia
Italy
GermanySIHG70N60AEF-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHG70N60AEF-GE3
摘要
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
详情
通孔 N 通道 600 V 60A（Tc） 417W（Tc） TO-247AC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
EF
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
41 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
410 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5348 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
417W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHG70
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIHG70N60AEF-GE3-ND
742-SIHG70N60AEF-GE3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHG70N60AEF-GE3
相关文档
规格书
1(SIHG70N60AE)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN 封装
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
HTML 规格书
1(SIHG70N60AE)
价格
数量: 1000
单价: $56.12083
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $61.18436
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $68.7794
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $81.439
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $88.64
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPW60R045CPAFKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 502
单价. : ¥171.88000
替代类型. : 直接
库存 : 502
单价. : ¥171.88000
替代类型. : 直接
型号 : APT77N60BC6
制造商 : Microchip Technology
库存 : 3
单价. : ¥106.37000
替代类型. : 类似
库存 : 3
单价. : ¥106.37000
替代类型. : 类似
型号 : STW77N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 565
单价. : ¥140.95000
替代类型. : 类似
库存 : 565
单价. : ¥140.95000
替代类型. : 类似
型号 : IPW60R037P7XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,085
单价. : ¥96.83000
替代类型. : 类似
库存 : 1,085
单价. : ¥96.83000
替代类型. : 类似