元器件型号详细信息

原厂型号
FDC606P
摘要
MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
详情
表面贴装型 P 通道 12 V 6A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT™-6
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
26 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
26 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1699 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SuperSOT™-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
基本产品编号
FDC606

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FDC606PCT
FDC606P-ND
1990-FDC606PDKR
FDC606PDKR
1990-FDC606PTR
FDC606PTR
1990-FDC606PCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDC606P

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规格书
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1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FDC606P)

价格

数量: 15000
单价: $2.88819
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $3.001
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $3.15896
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $3.38457
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $4.28716
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 剪切带(CT)
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数量: 10
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最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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