元器件型号详细信息

原厂型号
STB27NM60ND
摘要
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 21A(Tc) 160W(Tc) D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
160 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
80 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2400 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
160W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
STB27N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

STB27NM60ND-ND
-1138-STB27NM60NDCT
497-17760-2
497-17760-1
-1138-STB27NM60NDTR
497-17760-6
-1138-STB27NM60NDDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STB27NM60ND

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HTML 规格书
1(Spice Model Tutorial for Power MOSFETS)
EDA 模型
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价格

数量: 10
单价: $53.835
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $59.62
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $53.835
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $59.62
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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