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GermanyBSC152N10NSFGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC152N10NSFGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.4A（Ta），63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 72µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
114W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC152N10NSF G
BSC152N10NSFGATMA1TR
BSC152N10NSF G-ND
SP000379601
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC152N10NSFGATMA1
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价格
-
替代型号
型号 : IRFH5210TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,640
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 类似
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型号 : FDMS86150
制造商 : onsemi
库存 : 326
单价. : ¥31.40000
替代类型. : 直接
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型号 : FDMS3672
制造商 : onsemi
库存 : 2,720
单价. : ¥24.64000
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型号 : CSD19534Q5AT
制造商 : Texas Instruments
库存 : 7,000
单价. : ¥9.54000
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型号 : CSD19534Q5A
制造商 : Texas Instruments
库存 : 133
单价. : ¥7.95000
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型号 : STL60N10F7
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,784
单价. : ¥12.08000
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型号 : FDMS3662
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥23.05000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥23.05000
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