English
Spain
Rusia
Italy
GermanySI3443DV
元器件型号详细信息
原厂型号
SI3443DV
摘要
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 4.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6™（TSOP-6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1079 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SI3443DV
相关文档
规格书
1(Si3443DV)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
特色产品
1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(Si3443DV)
价格
-
替代型号
型号 : NTGS3443T1G
制造商 : onsemi
库存 : 1,076
单价. : ¥4.37000
替代类型. : 直接
库存 : 1,076
单价. : ¥4.37000
替代类型. : 直接
型号 : NTGS3441T1G
制造商 : onsemi
库存 : 11,618
单价. : ¥5.10000
替代类型. : 类似
库存 : 11,618
单价. : ¥5.10000
替代类型. : 类似
型号 : DMP2033UVT-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥1.15381
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥1.15381
替代类型. : 类似
型号 : DMP2033UVT-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥1.00492
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥1.00492
替代类型. : 类似
型号 : FDC638P
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥4.86000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥4.86000
替代类型. : 类似
型号 : NTGS4111PT1G
制造商 : onsemi
库存 : 1,719
单价. : ¥4.62000
替代类型. : 类似
库存 : 1,719
单价. : ¥4.62000
替代类型. : 类似