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GermanyRN1706JE(TE85L,F)
元器件型号详细信息
原厂型号
RN1706JE(TE85L,F)
摘要
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器） 50V 100mA 250MHz 100mW 表面贴装型 ESV
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
在售
晶体管类型
2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基极 (R1)
4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
80 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
频率 - 跃迁
250MHz
功率 - 最大值
100mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-553
供应商器件封装
ESV
基本产品编号
RN1706
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
RN1706JE(TE85LF)DKR
RN1706JE(TE85LF)CT
RN1706JE(TE85LF)TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列，预偏置/Toshiba Semiconductor and Storage RN1706JE(TE85L,F)
相关文档
规格书
1(RN1701JE-06JE)
EDA 模型
1(RN1706JE(TE85L,F) by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-