元器件型号详细信息

原厂型号
IPB34CN10NGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 27A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
34 毫欧 @ 27A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 29µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
24 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1570 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
58W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IPB34C

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPB34CN10N G-ND
IPB34CN10NGATMA1TR
SP000277693
IPB34CN10N G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPB34CN10NGATMA1

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价格

-

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