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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFR1018ETRRPBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
6,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.4 毫欧 @ 47A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2290 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFR1018ETRRPBF
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1(IRF(R,U)1018EPbF)
价格
-
替代型号
型号 : IRFR1018ETRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 46,177
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 直接
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型号 : SUD50N06-09L-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 825
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型号 : STD70N6F3
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型号 : FDD10AN06A0
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型号 : DMTH6009LK3-13
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型号 : DMTH6010LK3-13
制造商 : Diodes Incorporated
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库存 : 0
单价. : ¥9.70000
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