元器件型号详细信息

原厂型号
SI4410DY,518
摘要
MOSFET N-CH 30V 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 10A(Tj) 2.5W(Ta) 8-SO
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
13.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
34 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
SI4

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
2(1 年)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI4410DY /T3-ND
954-SI4410DY518
2156-SI4410DY,518
934056382518
NEXNXPSI4410DY,518
SI4410DY /T3
SI4410DY518

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/NXP USA Inc. SI4410DY,518

相关文档

规格书
1(SI4410DY)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 03/Jul/2013)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)

价格

-

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