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GermanySIR818DP-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIR818DP-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK® SO-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3660 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.2W（Ta），69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SIR818
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIR818DP-T1-GE3-ND
SIR818DP-T1-GE3TR
SIR818DP-T1-GE3CT
SIR818DP-T1-GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIR818DP-T1-GE3
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规格书
1(SIR818DP-T1-GE3)
产品培训模块
1(30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR)
PCN 组装/来源
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)
价格
数量: 3000
单价: $4.49925
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $4.82066
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $6.10616
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : BSC030N03MSGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
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库存 : 19,972
单价. : ¥7.39000
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型号 : IRFH7932TRPBF
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库存 : 23
单价. : ¥9.62000
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型号 : BSC0904NSIATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 30,685
单价. : ¥7.23000
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型号 : CSD17305Q5A
制造商 : Texas Instruments
库存 : 2,500
单价. : ¥5.50426
替代类型. : 类似
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型号 : CSD17501Q5A
制造商 : Texas Instruments
库存 : 2,479
单价. : ¥16.30000
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