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元器件型号详细信息
原厂型号
APT25GP90BDQ1G
摘要
IGBT 900V 72A 417W TO247
详情
IGBT PT 900 V 72 A 417 W 通孔 TO-247 [B]
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS 7®
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
900 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
72 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
110 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
3.9V @ 15V，25A
功率 - 最大值
417 W
开关能量
370µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
110 nC
25°C 时 Td（开/关）值
13ns/55ns
测试条件
600V，40A，4.3 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 [B]
基本产品编号
APT25GP90
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APT25GP90BDQ1GMI-ND
APT25GP90BDQ1GMI
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Microchip Technology APT25GP90BDQ1G
相关文档
规格书
1(APT25GP90BDQ1(G))
环保信息
()
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)
HTML 规格书
1(APT25GP90BDQ1(G))
价格
-
替代型号
-