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元器件型号详细信息
原厂型号
IMZA65R107M1HXKSA1
摘要
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
详情
通孔 N 通道 650 V 20A（Tc） 75W（Tc） PG-TO247-3-41
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSIC™ M1
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
142 毫欧 @ 8.9A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.7V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
496 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-41
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IMZA65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IMZA65R107M1HXKSA1
SP005398435
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IMZA65R107M1HXKSA1
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规格书
1(IMZA65R107M1H)
EDA 模型
()
价格
数量: 1000
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替代型号
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