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GermanyCMLDM8120G TR PBFREE
元器件型号详细信息
原厂型号
CMLDM8120G TR PBFREE
摘要
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 860mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-563
原厂/品牌
Central Semiconductor Corp
原厂到货时间
13 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Central Semiconductor Corp
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
860mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.56 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-563
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
基本产品编号
CMLDM8120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
CMLDM8120G DKR
CMLDM8120TR-ND
CMLDM8120DKR
CMLDM8120GDKR
CMLDM8120TR
CMLDM8120G TR-ND
CMLDM8120 CT-ND
CMLDM8120 DKR-ND
CMLDM8120 TR-ND
CMLDM8120G DKR-ND
1514-CMLDM8120GTRPBFREECT
CMLDM8120DKR-ND
CMLDM8120GCT
CMLDM8120GCT-ND
CMLDM8120GTR-ND
CMLDM8120 CT
CMLDM8120CT-ND
CMLDM8120 DKR
CMLDM8120 TR PBFREE
1514-CMLDM8120GTRPBFREETR
CMLDM8120GDKR-ND
CMLDM8120GTR
CMLDM8120G CT
CMLDM8120G CT-ND
CMLDM8120 TR
CMLDM8120CT
CMLDM8120G TR
1514-CMLDM8120GTRPBFREEDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Central Semiconductor Corp CMLDM8120G TR PBFREE
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规格书
1(CMLDM8120(G))
环保信息
1(RoHS Cert)
价格
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