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GermanyCSD17312Q5
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD17312Q5
摘要
MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 38A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
8 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
38A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 35A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5240 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
CSD17312
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-27613-2
TEXTISCSD17312Q5
296-27613-1
296-27613-6
-296-27613-1-ND
-CSD17312Q5-NDR
2156-CSD17312Q5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD17312Q5
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规格书
1(CSD17312Q5)
产品培训模块
()
视频文件
()
特色产品
()
PCN 设计/规格
1(Qualification Revision A 01/Jul/2014)
PCN 组装/来源
1(Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015)
PCN 封装
1(MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013)
制造商产品页面
1(CSD17312Q5 Specifications)
HTML 规格书
1(CSD17312Q5)
EDA 模型
()
价格
数量: 5000
单价: $7.92168
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
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