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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFTS8342TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 8.2A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 8.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
560 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6
基本产品编号
IRFTS8342
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFTS8342TRPBFCT
IRFTS8342TRPBFTR
SP001552394
IRFTS8342TRPBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFTS8342TRPBF
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1(IRFTS8342PbF)
EDA 模型
1(IRFTS8342TRPBF by Ultra Librarian)
价格
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