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GermanyRN1109MFV,L3F
元器件型号详细信息
原厂型号
RN1109MFV,L3F
摘要
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基极 (R1)
47 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)
22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
70 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
功率 - 最大值
150 mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-723
供应商器件封装
VESM
基本产品编号
RN1109
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
RN1109MFV,L3F(B
RN1109MFVL3F
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单，预偏置双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage RN1109MFV,L3F
相关文档
规格书
1(RN1107MFV-09MFV)
EDA 模型
1(RN1109MFV by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-