元器件型号详细信息

原厂型号
FS150R12KT4BOSA1
摘要
IGBT MOD 1200V 150A 750W
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 150 A 750 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
150 A
功率 - 最大值
750 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值)
1 mA
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FS150R12

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-FS150R12KT4BOSA1
FS150R12KT4-ND
IFEINFFS150R12KT4BOSA1
FS150R12KT4
SP000369613

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FS150R12KT4BOSA1

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1(Mult Dev Ship Pkg Chg 28/May/2020)
HTML 规格书
1(FS150R12KT4)
EDA 模型
1(FS150R12KT4BOSA1 by SnapEDA)
Forum Discussions
1(What’s the suffix BOSA1 mean in Infineon FF600R12IE4BOSA1?)

价格

数量: 1
单价: $2277.97
包装: 托盘
最小包装数量: 1

替代型号

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