元器件型号详细信息

原厂型号
RGS60TS65DHRC11
摘要
IGBT TRNCH FIELD 650V 56A TO247N
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 56 A 223 W 通孔 TO-247N
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
56 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值
223 W
开关能量
660µJ(开),810µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
36 nC
25°C 时 Td(开/关)值
28ns/104ns
测试条件
400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
103 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
基本产品编号
RGS60

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGS60TS65DHRC11

相关文档

规格书
1(RGS60TS65DHR)
产品培训模块
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价格

数量: 1000
单价: $34.34221
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $37.61616
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $43.198
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $52.181
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $57.79
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

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