English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPP032N06N3GXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP032N06N3GXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详情
通孔 N 通道 60 V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 118µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
165 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13000 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
188W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP032
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000680770
IPP032N06N3 G-ND
IPP032N06N3G
2156-IPP032N06N3GXKSA1
IPP032N06N3 G
INFINFIPP032N06N3GXKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP032N06N3GXKSA1
相关文档
规格书
1(IPB029N06N3G, IPI/IPP032N06N3G)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 20/Oct/2015)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T 26/Apr/2021)
HTML 规格书
1(IPB029N06N3G, IPI/IPP032N06N3G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $8.6473
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $8.97989
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $9.64507
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $11.64058
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $14.1685
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $17.624
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $19.64
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-