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GermanyCSD87355Q5DT
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD87355Q5DT
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
详情
MOSFET - 阵列 30V 45A 2.8W 表面贴装型 8-LSON（5x6）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
250
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
逻辑电平栅极，5V 驱动
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1860pF @ 15V
功率 - 最大值
2.8W
工作温度
-55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerLDFN
供应商器件封装
8-LSON（5x6）
基本产品编号
CSD87355Q5
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
CSD87355Q5DT-ND
2156-CSD87355Q5DT
296-CSD87355Q5DTCT
TEXTISCSD87355Q5DT
296-CSD87355Q5DTTR
296-CSD87355Q5DTDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD87355Q5DT
相关文档
规格书
1(CSD87355Q5D Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(CSD87355Q5DT Specifications)
HTML 规格书
1(CSD87355Q5D Datasheet)
EDA 模型
1(CSD87355Q5DT by Ultra Librarian)
价格
数量: 6250
单价: $11.22914
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
数量: 2500
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
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最小包装数量: 1
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替代型号
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