IPD65R950CFDBTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD65R950CFDBTMA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 3.9A（Tc） 36.7W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

950 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

14.1 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

380 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

36.7W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD65R

其它名称

IPD65R950CFDBTMA1CT

SP000953124

IPD65R950CFDBTMA1TR

IPD65R950CFDBTMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD65R950CFDBTMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPD65R950CFDATMA2

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥11.92000
替代类型. : 直接

型号 : STD7LN80K5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,356
单价. : ¥17.17000
替代类型. : 类似

型号 : STD7N80K5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥19.16000
替代类型. : 类似

型号 : AOD4S60

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 5,862
单价. : ¥10.89000
替代类型. : 类似

型号 : STD9N80K5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥9.55947
替代类型. : 类似

型号 : STDLED627

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : TSM70N900CP ROG

制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 0
单价. : ¥15.30472
替代类型. : 类似

IRF3704SPBF MBRT30030L SSQ-122-02-G-S-RA FW-25-03-L-D-303-075-P-TR TIL117-V

IPD65R950CFDBTMA1

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