English
Spain
Rusia
Italy
GermanyBSM50GD120DN2G
元器件型号详细信息
原厂型号
BSM50GD120DN2G
摘要
IGBT MOD 1200V 78A 400W
详情
IGBT 模块 全桥 1200 V 78 A 400 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
IGBT 类型
-
配置
全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
78 A
功率 - 最大值
400 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
3.7V @ 15V，50A
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
33 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
BSM50G
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSM50GD120DN2GBOSA1
SP000100363
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies BSM50GD120DN2G
相关文档
规格书
1(BSM50GD120DN2G)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 组装/来源
1(DCB Substrate Supplier Add 30/May/2017)
HTML 规格书
1(BSM50GD120DN2G)
价格
-
替代型号
型号 : MWI50-12A7
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥1,070.61333
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥1,070.61333
替代类型. : 类似