元器件型号详细信息

原厂型号
IPD180N10N3GBTMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
43A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1800 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
71W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD180N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPD180N10N3 GTR-ND
SP000482438
IPD180N10N3 G
IPD180N10N3GBTMA1CT
IPD180N10N3 GDKR-ND
IPD180N10N3G
IPD180N10N3 GCT
IPD180N10N3 GCT-ND
IPD180N10N3GBTMA1TR
IPD180N10N3 GDKR
IPD180N10N3GXT
IPD180N10N3 G-ND
IPD180N10N3GBTMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD180N10N3GBTMA1

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价格

数量: 12500
单价: $3.33896
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $3.46939
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $3.652
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1
单价: $8.59
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $8.59
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPD180N10N3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥10.41000
替代类型. : 直接
型号 : IRFR3710ZTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 17,095
单价. : ¥18.28000
替代类型. : 类似
型号 : IRFR3710ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,837
单价. : ¥19.16000
替代类型. : 类似
型号 : FDD86102LZ
制造商 : onsemi
库存 : 312
单价. : ¥12.88000
替代类型. : 类似
型号 : NVD5117PLT4G-VF01
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥23.93000
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型号 : AOD2910
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥3.01508
替代类型. : 类似
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 94
单价. : ¥17.57000
替代类型. : 类似
型号 : STD45N10F7
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,660
单价. : ¥12.24000
替代类型. : 类似
型号 : STD47N10F7AG
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.51000
替代类型. : 类似