元器件型号详细信息

原厂型号
SI4916DY-T1-GE3
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
详情
MOSFET - 阵列 30V 10A,10.5A 3.3W,3.5W 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
LITTLE FOOT®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A,10.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
3.3W,3.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
SI4916

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI4916DY-T1-GE3

相关文档

规格书
1(SI4916DY)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
HTML 规格书
1(SI4916DY)

价格

-

替代型号

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