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20251109
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元器件资讯
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FGH12040WD-F155
元器件型号详细信息
原厂型号
FGH12040WD-F155
摘要
IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 428 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
450
供应商库存
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技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.9V @ 15V,40A
功率 - 最大值
428 W
开关能量
4.1mJ(开),1mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
226 nC
25°C 时 Td(开/关)值
45ns/560ns
测试条件
600V,40A,23 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
71 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
FGH12040
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FGH12040WD-F155-ND
FGH12040WD-F155OS
FGH12040WD_F155
FGH12040WD_F155-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGH12040WD-F155
相关文档
规格书
1(FGH12040WD)
环保信息
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 29/Jan/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly/DS Chg 6/Jan/2019)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FGH12040WD)
EDA 模型
1(FGH12040WD-F155 by Ultra Librarian)
价格
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替代型号
-
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