IPB600N25N3GATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB600N25N3GATMA1

摘要

MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 250 V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

40 周

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

25A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

60 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 90µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

29 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2350 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

136W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB600

其它名称

IPB600N25N3GATMA1CT

IPB600N25N3 GCT-ND

IPB600N25N3 GTR-ND

IPB600N25N3 G

SP000676408

IPB600N25N3 GCT

IPB600N25N3 GDKR

IPB600N25N3GATMA1DKR

IPB600N25N3GATMA1TR

IPB600N25N3 G-ND

IPB600N25N3G

IPB600N25N3 GDKR-ND

IPB600N25N3 GTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB600N25N3GATMA1

价格

数量: 5000

单价: $12.27241
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $12.75181
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $13.42293
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $15.9157
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $18.6966
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $22.816
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $25.44
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $15.9157
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $18.6966
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $22.816
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $25.44
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

MTMM-107-14-F-D-496 ZW-50-09-T-D-250-370 1812J0250154FCT CX10S-C0HDGH-P-A-DK00000 SIT8208AI-3F-33E-66.666600T

IPB600N25N3GATMA1

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