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GermanyIPP90R1K2C3XKSA2
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP90R1K2C3XKSA2
摘要
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
详情
通孔 N 通道 900 V 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 310µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
710 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP90R1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP90R1K2C3XKSA2-ND
448-IPP90R1K2C3XKSA2
SP002548894
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP90R1K2C3XKSA2
相关文档
规格书
1(IPP90R1K2C3)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chgs 2/Feb/2021)
HTML 规格书
1(IPP90R1K2C3)
价格
数量: 500
单价: $9.90088
包装: 管件
最小包装数量: 500
包装: 管件
最小包装数量: 500
替代型号
型号 : IPA95R1K2P7XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 277
单价. : ¥15.34000
替代类型. : MFR Recommended
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替代类型. : MFR Recommended